SEMIX101GD126HDS Modul IGBT Semikron
https://blogger.googleusercontent.com/img/b/R29vZ2xl/AVvXsEghl5PHzkx0Cj-3h_MtDJ7xjKt6rdoiEU2WX-eo2Gm6Xxo1hWF556BCVKnSG0RcYR1Th8cXOc8fsGdIXt7w46NavyE0c-MzsPLOzbnfS7PeWMSCt8Lu1U93l_WezOPiuaSEu-KJgAVSMOzo/s72-c/SEMiX101GD126HDs.jpg
3.200.000 đ
(Số lượng: >=5 Giá : 0.000 đ)
- Hãng sản xuất : Chính Hãng
- Mã sản phẩm : SEMIX101GD126HDS Modul IGBT Semikron
- Hình thức : Mới- Hãng sản xuất : Chính Hãng
- Mã sản phẩm : SEMIX101GD126HDS Modul IGBT Semikron
- Tình trạng: Còn Hàng
- Thông số kỹ thuật: SEMiX101GD126HDs © by SEMIKRON Rev. 1 – 03.07.2013 1 SEMiX® 13 GD Trench IGBT Modules SEMiX101GD126HDs Features • Homogeneous Si • Trench = Trenchgate technology • VCE(sat) with positive temperature coefficient • High short circuit capability • UL recognised file no. E63532 Typical Applications* • AC inverter drives • UPS • Electronic Welding Remarks • Case temperatur limited to TC=125°C max. • Not for new design Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj = 25 °C 1200 V IC Tj = 150 °C Tc = 25 °C 129 A Tc = 80 °C 91 A ICnom 75 A ICRM ICRM = 2xICnom 150 A VGES -20 ... 20 V tpsc VCC = 600 V VGE ≤ 20 V VCES ≤ 1200 V Tj = 125 °C 10 µs Tj -40 ... 150 °C Inverse diode IF Tj = 150 °C Tc = 25 °C 117 A Tc = 80 °C 81 A IFnom 75 A IFRM IFRM = 2xIFnom 150 A IFSM tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C 600 A Tj -40 ... 150 °C Module It(RMS) Tterminal = 80 °C 600 A Tstg -40 ... 1
Đăng nhận xét